目前硅單晶的生產(chǎn)方法以直拉法(CZ)和區(qū)熔法(FZ)為主，世界上硅單晶的產(chǎn)量中70%~80% 是用直拉法生產(chǎn)的。常用的直拉法生產(chǎn)硅單晶工藝是采用即像真空工藝又像流動氣氛工藝的減壓拉晶工藝。

　　減壓拉晶工藝是在硅單晶拉制過程中，連續(xù)均勻地向單晶爐爐膛內(nèi)通入惰性氣體(一般采用高純度的氬氣)，同時真空泵不斷地從爐膛向外抽氣，保持爐膛內(nèi)真空度穩(wěn)定在(2.7~5.3)×103Pa。這種工藝既有真空工藝的特點(爐膛內(nèi)保持負壓)，又有流動氣氛工藝的特點(不斷充氣，不斷排氣)。

　　采用這種工藝可以在硅單晶生長過程中，使向爐膛內(nèi)充入的高純度氬氣氣流從上而下地貫穿整個硅單晶生長的區(qū)域，及時地帶走由于高溫而產(chǎn)生出來的硅氧化物和雜質(zhì)揮發(fā)物，確保硅單晶的品質(zhì)。根據(jù)現(xiàn)在最常用的硅單晶直拉法減壓拉晶工藝，真空系統(tǒng)一般都配備滑閥式真空泵。但隨著大直徑、重摻雜等特殊要求的硅單晶需求量的增加，對單晶爐設(shè)備的要求也越來越高，采用滑閥式真空泵的缺點也日益顯現(xiàn)。

　　采用滑閥式真空泵直拉單晶爐真空系統(tǒng)的缺點，通過改造真空系統(tǒng)，將水環(huán)式真空泵應(yīng)用在直拉單晶爐設(shè)備上，提高了直拉單晶爐的整體性能。